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　　容量大、制造工藝成熟的NASA閃存已經(jīng)成為整個手機存儲器行業(yè)的標準，不過，在未來幾年內(nèi)，它將遇到前所未有的挑戰(zhàn)。

　　美國加州創(chuàng)業(yè)公司Crossbar日前推出一種超大容量、高性能非易失性存儲技術(shù)"Crossbar Resistive RAM"（電阻式記憶體，RRAM），它是一種可以用于電腦和移動設(shè)備的內(nèi)部存儲器，可用現(xiàn)有半導(dǎo)體工藝制造，速度相比現(xiàn)在的NAND閃存要快上許多，讀寫時還非常節(jié)能。

　　RRAM號稱可以在200平方毫米大?。ɑ旧暇拖喈斢趥€拇指蓋）的半導(dǎo)體芯片里存下最多1TB數(shù)據(jù)，相比之下，現(xiàn)在手機所使用的NAND閃存在同等面積下的存儲容量大概只有其1/8。如果這種技術(shù)得以推廣，未來移動設(shè)備存儲容量將得到極大提高。



　　RRAM的另一個優(yōu)勢就是實用。Crossbar聲稱它根本無需專用的半導(dǎo)體工藝，沿用現(xiàn)有的閃存、內(nèi)存CMOS電路產(chǎn)線即可完成制造，他們已經(jīng)在第三方晶圓廠內(nèi)開發(fā)出了可工作的Crossbar存儲陣列，從而邁出了投入商用的里程碑一步。



　　從原理上來說，Crossbar RRAM高密度存儲的秘密在于3D堆疊結(jié)構(gòu)，下圖中類似層層堆疊的鐵軌一樣的物體就是RRAM的存儲單元，頂部和底部是點擊，中間是交換媒介，一個小"方格"就是一個存儲數(shù)據(jù)的基本電路。



　　Crossbar RRAM的另一項優(yōu)勢在于將控制器直接集成到了存儲單元之中，延遲和互聯(lián)帶寬都要比閃存芯片低得多，Crossbar聲稱這種新型存儲技術(shù)能帶來20倍的讀寫性能(140MB/s VS. 7MB/s)、10倍的可靠性和耐用性(125℃下十年VS. 85℃下一至三年)、1/20的功耗，而內(nèi)核面積可以小一半還要多——官方數(shù)據(jù)是同樣的25nm 8GB，NAND閃存需要167平方毫米，RRAM只需77平方毫米，其使用壽命也10倍于NAND，可以說是一種完美的高速存儲器。



　　Crossbar還表示，這種存儲器還可以以陣列的方式運行，他們計劃將這項技術(shù)授權(quán)給其它公司使用，目前30余項專利已經(jīng)被授予。

　　Crossbar目前已經(jīng)完成了RRAM原型芯片的流片，首款產(chǎn)品將會面向嵌入式SoC市場，并向SoC廠商開放技術(shù)授權(quán)。Crossbar認為RRAM的適用范圍極廣，包括消費 電子、手機、平板機、企業(yè)存儲、固態(tài)硬盤、云計算、工業(yè)聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、損耗計算、安全支付等等，基本上NOR、NAND存在的地方都可以涉足。

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